Tehelná 1203/6
Zlaté Moravce
Okná pre pasívne domy
Galvaniho 15 B
Bratislava
BIM knižnice a objekty
Stará Vajnorská 139
Bratislava
Dokonalá izolácia
Stará Vajnorská 139
Bratislava
Prielohy 1012/1C
Žilina
Štúrova 136B
Nitra
Vlárska 22
Trnava
Správu oznámili vo štvrtok.
Nové čipy sú postavené na 3D flash pamäti Samsungu V-NAND. Bližšie parametre Samsung neuvádza.
Vysoký výkon umožňuje použitie rozhrania UFS, Universal Flash Storage, 2.0 a výkonný dvojkanálový radič. Vďaka tomu majú čipy značnene vyšší výkon pri sekvenčnom prístupe ako bežné SSD disky pre PC. Majú tiež vysoký výkon pri prístupe na náhodné pozície.
Sekvenčná rýchlosť čítania dosahuje 850 MB/s a rýchlosť zápisu 260 MB/s. Čip zvláda 45 tisíc IO/s pri čítaní z náhodných pozícií a 40 tisíc IO/s pri zápise. Predchádzajúca generácia postavená na UFS zvládala 19 tisíc a 14 tisíc IO/s.
Pri kapacite 256 GB sú čipy veľmi kompaktné. Podľa údajov výrobcu sú menšie ako microSD karta.
Zdroj: Samsung